磁电阻效应的简单介绍

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简介:导体有大的磁电阻各向异性。利用磁电阻效应,可以制成磁敏电阻元件,其常用材料有锑化铟、砷化铟等。

磁电阻效应

无磁场时的电阻率

所谓磁电阻效应,是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。磁电阻效应可以表达为

式中 △ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量;

ρ0——无磁场时的电阻率;

ρB——有磁场时的电阻率。

在大多数金属中,电阻率的变化值为正,而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。半导体有大的磁电阻各向异性。利用磁电阻效应,可以制成磁敏电阻元件,其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。为了提高灵敏度,增大阻值,可把磁敏电阻元件按一定形状(直线或环形)串联起来使用。

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