特别是单元结构复杂的VC8563T电子元器件，会形成寄生元器件和潜在通路，它们在一定的工作条件下会改变电子元器件的功能，引起失效，例如在高频元器件中的寄生电容和寄生电感效应、硅体CMOS电路中寄生晶体管引起闩锁效应以及交叉工作的晶体管瞬态对通效应等，在结构设计中就要采取措施，力求减小或避免寄生元器件和潜在通路。
最坏情况设计技术
作为可靠性和设计计划的一部分，分析可在最差情况条件下进行，以确保遵守规范要求，降低因操作容限不充分造成的失效风险。
对设计进行检查，在分析验证电路操作条件的充分操作容限时应考虑原材料、零部件参数变化、初始容限、温度影响、老化效应、辐射效应、电源输入线电压变化、操作模式效应、负载和激励等造成的电路参数变化等方面，进行最坏情况的可靠性设计。