多数现代电子器件是由性能介于导体与绝缘体之间的半导体材料制造而成的。常用的半导体材料有：元素半导体，如硅、锗等；化合物半导体，如砷化镓等；以及掺杂或制成其它化合物的半导体材料。
2.本征半导体
本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中束缚的那样紧，在热激发下会脱离共价键而成为自由电子。在半导体内，自由电子和空穴总是成对出现的。
3.杂质半导体
在本征半导体内掺入一定数量的杂质，就会改变半导体的性能。
(1）P型半导体:在硅（或锗）的晶体内掺入少量的杂质，如硼（或铟）等，就构成了P型半导体。掺入三价元素，形成一个空穴。相邻共价键上的电子受热激发移动填补到这个空穴中，硼原子成为负离子。 P型半导体中的空穴成为多数载流子——多子，受热激发而脱离共价键的电子为少子。
(2）N型半导体:在硅（或锗）的晶体内掺入少量的杂质，如磷（或砷、锑）等，就构成了N型半导体。掺入五价元素，形成一个自由电子。N型半导体中的电子成为多数载流子——多子，而空穴为少子。
要理解两种不同类型的半导体是如何形成的，有什么区别。
4. PN结的形成
将两种不同类型的半导体进行结合，在其结合面上就出现了电子和空穴的浓度差别。电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。
空间电荷区又叫耗尽层，具有非常高的电阻率。
PN结具有单向导电性:即在PN结上加正向电压时，PN结电阻很低，正向电流较大。（PN结处于导通状态）加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小。（PN结处于截止状态）