这一篇呢，我们来看看电路中基本的零点长得啥样。
还是一个简单的单极点电路。和之前唯一不同的地方，在于gate和drain之间被加上了一个Cc。因为这个Cc的存在，这个电路中出现了一个比较明显的零点。当然，一般的mosfet的Cgd都是不太大的，除非用在诸如两级运放之间的miller capacitor那种Cc，这个零点才是我们需要考虑的。
作者君不情愿的画了小信号模型，那个，然后的推导，亲们自己去推哈~~作者君小憩一会会……
那个，怎么样？推出来了吗？
好吧，作者君就直接公布自己的答案(Ro是上图中两个电阻的并联之和)：
分母有个很明显的极点，分子有个明显的零点。极点咱们就先不管了，来看看这个零点：
很显然，自然界没有负数的频率。因此，我们还是来关心
Cc就相当于前一篇文章中提到的跨在input和output之间的电容，而gm从分子挪到分母去，则是之前的output接地电阻变成了1/gm。
话说，为什么这个零点只跟这个nmos的gm有关系呢？
原因还是在于零点的特性：当频率大于零点之后，这个零点才能逐渐被忽略掉。
设想一下，如果现在有个很高频的input signal，那么这个电路中唯一的nmos就变成了gate和drain短接在一起的一个diode了。一个diode的等效电阻是1/gm，所以这个零点也就跟gm有关了。
很多书上说，零点的存在，其实是提供了一条所谓的“feed-forward”前馈通路。道理同上，也就是走了“捷径”。捷径的存在，导致本来应该被mos放大的signal直接跑到了output那端，自然也就严重的影响了mos的放大性能。