要解释三极管导电机理，必须弄明白其基本结构和电子走向。如图所示，NPN三极管的基极是一段很窄的P型半导体，两端是由N型半导体组成的发射极和集电极。这两个电极的名字也是相当形象的，发射极发射电子，集电极收集电子。
基极和发射极之间施加的是正向偏置电压，其目的是使发射极中的电子在电场的作用下漂移到基极。这些电子到达基极后，部分电子与空穴复合形成电流IB，因为基极窄，所以复合的只是很小一部分，IB也就很小。又因为集电极和基极之间施加的是反向偏置，所以达到基极的大部分电子会在这一电场作用下漂移到集电极形成IC。
在书中，IC和IB之间的关系是IC=βIB，现在假设β=99，就可以理解成发射极发射100个电子，有1个电子与空穴复合形成IB，有99个电子到达集电极形成IC，这个效果就像是IB被放大了99倍。因为在两个过程中的电子漂移方向是一致的，所以从发射极流出的IE=IC+IB，因为IB的电流很小，所以有IE=αIC（α≈1）。
综上所述，如果把这个过程看作一个黑盒的话，就可以简单看成是发射极发射电子，集电极收集电子。
VCE=VCB+VBE，可以用VBE衡量发射电子的能力，用VCB衡量吸收电子的能力，具体表现如下图所示。
在VCE相同的情况下，VBE大的三极管发射电子的能力更强，形成的电流更大；在VBE一定的情况下，电流会随着VCE的增加（也就是吸收电子能力）而增加，但是当VCE到达一定值后，电流出现饱和，其原因就是发射电子的能力是有限的，发射的电子几乎全部在集电极被收集，电流无法继续增大。
简单来说，VBE决定了电流的上限，VCE尽可能地发挥上限。