问题1：在芯片进入低功耗睡眠模式 (SLEEP MODE)后，其振荡脚将处于浮态，这将使芯片的睡眠功耗上升，比原手册中的指标高了10μA以上。
对策：在振荡脚OSC1和地 (GND)之间加一10MΩ电阻可防止OSC1进入浮态，且不会影响正常振荡。
问题2：RA口方向寄存器TRISA目前只是一个4位寄存器，对应于RA0~RA3，并非手册中所言是8位寄存器，对应于RA0~RA4，即RA4并没有相应的输入/输出方向控制位，它是一个具有开极输出，施密特输入I/O脚。
对策：避免使用对RA口进行读-修改-写指令（如BCF RA， BSF RA），以免非意愿地改变RA4的输入/输出状态。对于RA口的操作应采用寄存器的操作方式（MOVWF RA）。
问题3：当CPU正在执行一条对INTCON寄存器进行读-修改-写指令时，如果发生中断请求，则读中断例程会被执行二次。这是因为当中断请求发生后INTCON寄存器中的GIE位会被硬件自动清零（屏蔽所有中断），并且程序转入中断例程入口（0004H）。当GIE位被清零后，如果这时正好CPU在执行一条对INTCON的读-修改-写指令（如BSF INTCON等），则 GIE位还会被写回操作重新置1，这样会造成CPU二次进入中断例程。
对策：如果在程序中需对INTCON的某一中断允许位进行修改，则应事先置GIE=0，修改完成后再恢复GIE=1。
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BCF INTCON, GIE
BSF INTCON, ×××
BSF INTCON, GIE
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图1
问题4：当芯片电压VDD加电上升时间大于100μs时，电源上电复位电路POR和电源上电延时器PWRT可能不能起正常的作用，而使芯片的复位出现不正常（即PC≠复位地址）。一般在这种情况下建议不要采用PWRT。
对策：如果VDD上升时间很长，此芯片一般需较长的电源上电延时，可靠的电源上电延时方法如图1所示，在MCLR端外接复位电路。
问题5：如果在A/D转换中用RA3作为参考电压输入，则最大满量程误差(NFS)要大于手册中的指标。实际情况如表1所示。
表1 A/D满量程误差表
问题1：PIC16C84的内部的E2PROM数据存储器的E/W周期偶尔会超出最大值（10ms）。
对策：在程序中应该用EECON1寄存器中的WR位来判断写周期的完成，或是启用“写周期完成中断”功能，这两种方法可保证写入完成。
问题2：VDD和振荡频率的关系如表2所示。
