湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35 MICrostructures在SEMICONChina期间推出了干法刻蚀模块与氧化物释放技术，该技术为MEMS器件设计师提供了更多的生产选择，同时带来了宽泛的制造工艺窗口，从而使良率得到了提升。
SVR-vHF氧化物释放模块结合现有的memsstar SVR-Xe 牺牲性汽相释放模块，利用无水氢氟蒸汽(aHF)来去除牺牲氧化物，从而释放MEMS机械结构。SVR蚀刻方法可以完全地去除牺牲材料而不损害机械结构或导致黏附，它同时提供了高度的可选择性、可重复性和均匀性。SVR保留有干燥的表面，没有任何残留物或水汽，这也省去了包含在湿法工艺中的表面准备、引入酸、中和以及随后的干燥等步骤。
SVR与CMOS工艺和CMOS晶圆设施是兼容的，这使得MEMS器件可以像传统的集成电路一样在相同的设施和基板上进行生产，这也将适用于新类型的单片MEMS/CMOS 器件。SVR进一步的好处包括减少材料的使用和更低的浪费。