CMOS射频收发器原理：传统的射频收发电路普遍采用超外差结构，这种成熟的体系结构需要采用二级混频和片外声表面滤波器，成本高。正在研发的CMOS低中频或直接转换体系结构只需要采用一级混频，同时能节省片外声表面滤波器。但是直接转换的体系结构需要克服直流失调等问题。采用CMOS射频收发电路的最大优点是可以和基带处理器（数字电路）及A/D、D/A转换器（混合信号电路）集成于一个芯片。单片集成的含射频、基带及模数、数模转换电路使电路可靠性好，功耗低和成本低。单片集成CMOS无线通信电路是目前研究热点，正走上商业化。
CMOS射频IC电路：采用直接转换的CMOS射频IC主要有低噪声放大器、混频电路、功率驱动电路和频率综合电路等射频单元组成。在射频领域，我们更多注意的是功率传输和放大，其中低噪声放大器的电路图如图所示。
它的核心技术是输入阻抗匹配和输出负载的设计，片上电感作为负载可以获得较高的增益和频率特性，为了抑制共模电平，差分结构的低噪声放大器也经常采用。国内已有CMOS混频器报导采用吉尔布特乘法单元的混频电路如图3所示，混频器的性能主要是线性度，在提高线性度方面，目前有人采用电感负载和共源极电流耦合输入。功率驱动电路一般会采用二级功率放大的电路，为了满足不同射频系统的需要和保证输出功率，功率驱动电路需要考虑增益控制电路和封装、连线及引脚的分布参数。为了得到低噪声时钟和低相位噪声的正交信号，采用片上电感和变容二极管的LC信频压控器及二分频正交信号产生器是一种好的选择。
采用倍频VCO可以减少射频信号对VCO的牵引和VCO对信号的泄漏。Sigma-Delta分数分频能够进一步降低VCO的相位噪声。低中频（2MHz中心频率）体系结构和直接转换的蓝牙、无线局域网和WCDMA射频电路。