IGBT管的使用注意事项

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简介:IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄,IGBT管的UGE 的耐压值为 20V,在IGBT管加超出耐压值的电压时,会导致损坏的危险

IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄,IGBT管的UGE 的耐压值为 20V,在IGBT管加超出耐压值的电压时,会导致损坏的危险 此外,在栅极发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过 这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT管发热乃至损坏在应用中,有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感 在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压,如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT管就会损坏 为防止这类损坏情况发生,应在栅极一发射极之间接一只10千欧左右的电阻。此外,由于IGBT管为MOS结构,对于静电就要十分注意 因此,请注意下面几点:

(1)在使用模块时,手持分装件时,请勿触摸驱动端子部分当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电放电后,再触摸;

(2)在用导电材料连接IGBT管的驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;

(3)尽量在底板良好接地的情况下操作 如焊接时,电烙铁要可靠接地在安装或更换IGBT管时,应十分重视IGBT管与散热片的接触面状态和拧紧程度,为了减少接触热阻,最好在散热器与IGBT管间涂抹导热硅脂,一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT管发热,从而发生故障,因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT管的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT管工作。

igbt静态参数测试系统

可测试IGBT参数包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、

GFS、rCE等全直流参数,所有小电流指标保证1%重复测试精度,大电流指标保证2%以内重复测试精度。

主极电流可提供400A 500A 800A 1250A大电流测试选项

BR3500测试系统是一项高速多用途半导体分立器件智能测试系统。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力。可真实准确测试达十九大类二十七分类大、中、小功率的半导体分立器件。

一、可测试种类

1.二极管 Diode

2.稳压(齐纳)二极管 Zener

3.晶体管 Transistor(NPN型/PNP型)

4.可控硅整流器(普通晶闸管) SCR

5.双向可控硅(双向晶闸管) TRIAC

6.MOS场效应管 Power MOSFET(N-沟/P-沟)

7.结型场效应管 J-FET (N-沟/P-沟,耗尽型/增强型)

8. 三端稳压器 REGULATOR(正电压/负电压,固定/可变)

9.绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT(NPN型/PNP型)

10.光电耦合器 OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型)

11.光电逻辑器件 OPTO-LOGIC

12.光电开关管 OPTO-SWITCH

13.达林顿阵列

14.固态过压保护器 SSOVP

15.硅触发开关 STS

16.继电器 RELAY(A、B、C型)

17.金属氧化物压变电阻 MOV

18.压变电阻 VARISTO

19.双向触发二极管 DIAC

二、技术参数及可实现目标

主极电压:1000V 通过内部设置可扩展到:2000V

主极电流:50A 加选件可扩展到:400A/500A/1000A/1250A

控制极电压:20V 加大电流台选件可扩展到:80V

控制极电流:10A 加大电流台选件可扩展到:40A

电压分辨率:1mV

电流分辨率:100pA 加小电流台选件可扩展到:1pA

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