AVR管脚外部上拉电阻阻值选择分析 AVR微控制器的I/O口是双向口。具有如下的特点：AVR IO具备多种IO模式:1 高阻态，多用于高阻模拟信号输入，例如ADC数模转换器输入,模拟比较器输入2 弱上拉状态(Rup=20K~50K)，输入用。为低电平信号输入作了优化，省去外部上拉电阻，例如按键输入，低电平中断触发信号输入3 推挽强输出状... 2023-06-13 上拉电阻AVRIO文章单片机AVR单片机
AVR单片机内部RC振荡器校正方法 操作理论 – 内部 RC 振荡器在产品中内部 RC 振荡器在 5V 或 3.3V 下校正。工厂校正的精度在 +/-3 或 +/-10% （参考数据手册）。如果一个设计需要比工厂标准校正更高的精度，就需要再次校正 RC 振荡器，这样可以得到大约 +/-1%（对于工厂校正精度是+/-10%的器件是 +/-2%）的精... 2023-06-13 AVR单片机RC振荡器文章AVR单片机
AVR读写外部RAM时出现的问题 AVR读写外部RAM时出现的问题问：1，对AT90S8515来说，外部RAM的地址肯定是从0x0260开始的？2，我用ICE200仿真8515读写外部RAM，RAM大小为32KBytes,地址映射到0x0000-0x7fff,用PC7做它的片选。把SRE置为1，当我访问0x0300时PC7为低，这是对的，但当我不去访问0x0000-0x7fff地址空间时（例如进... 2023-06-13 AVRAT90S8515外部RAMPC7文章单片机AVR单片机
基于AVR单片机的LED显示屏的灰度设计与实现 1 系统整体设计方案LED显示系统主要由3部分构成：PC上位机图像文字转换与数据发送单元、主控单元以及显示子模块。上位机完成把图像和文字转换成为显示屏的显示码，并且把显示信息发送到主控单元上。主控单元选用具有32 kB片内FLASH ROM和2 kB片内RAM的AT-mega32单片机，没有外... 2023-06-13 atmega32LEDAVR文章单片机AVR单片机
单片机内核的分类介绍 1.内核诸如51/ARM/90/PIC/AVR……有好多种的，何况内核从来不分类，因为每一家常都可以改内核，你应该问的是架构!!只有懂架构才能用什么片子都驾轻就熟。我详细的说一下吧。HARVARD(哈佛)架构：ROM(程序空间)与RAM(数据空间)分开，便于程序与数据的同时访问，减少程序运... 2023-06-13 单片机内核ARMPICAVR文章单片机基础知识
AVR操作EEPROM应注意的问题 作为一个正式的系统或产品，当系统基本功能调试完成后，一旦进行现场测试阶段，请注意马上改写熔丝位的配置，启用AVR的电源检测（BOD）功能。对于5V系统，设置BOD电平为4.0V；对于3V系统，设置BOD电平为2.7V。然后允许BOD检测。这样，一旦AVR的供电电压低于BOD电平，AVR进入RESET（不执行程序了）... 2023-06-13 AVR临界电压跑飞EEPROM文章单片机AVR单片机
基于AVRButterfly的电源设计能够很好地完成嵌入式系统 引 言随着嵌入式系统设计技术的发展，在设计和仿真中，系统工程师对电源的要求也越来越高。在嵌入式系统设计是使用8031单片机和74系列集成电路时，所有使用74系列集成电路的电路板都使用单一的5 V电源供电就可以了。当时的供电电源部分不是一个需要太多注意的单元，基本上5 V的... 2023-06-13 电源系统嵌入式系统AVR文章技术应用电源
看看这个关于AVR单片机的镕丝位配置的文章 正确配置AVR熔丝位（1）在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）。因此，配置熔丝位的过程实际上是&ldqu... 2023-06-13 AVR熔丝位ISPBootloader文章单片机AVR单片机
avr的flash和ram存放的数据问题 avr单片机是基于哈佛结构，它的程序存储器和数据存储器分开。avr的Flash存储器空间存放的内容有：(1)text:程序代码区(2)interrupt vectors:存放中断向量(3)fun_lit:函数列表区。函数列表区包含了函数的入口地址。(4)lit:整型数和浮点数常量区。存放的是程序中的常量数据。(5... 2023-06-13 AVRFLASHSRAM指针文章单片机AVR单片机
ATmega168的SPI发送完寄存器SPIF不置位的问题 利用ATmega168的硬件SPI驱动74HC595来扩展串行接口。把MOSI和SCK设置为输出,然后设置好寄存器。,具体如下:static void vSpi595Init(void){DDRB|=(1<DDRD|=(1<SPCR=(1<<spe)|(1<<mstr)|(1<<spr0)|(1<<spr1); 使能spi主机模式传送速度。}然后调用如下的发送函数... 2023-06-13 AVRSPI接收寄存器文章单片机AVR单片机
AVR并口下载线制作注意问题 出现的问题:在使用AVR并口下载线时,为节省成本,使用方便,将并口上与下载程序的引脚通过串联330欧电阻相连,用到了GND、SCK、MOSI、SCK、MISO共5个脚,这样做出来的下载线导致我在ICC里读熔丝位时时对时错,即便是读出来了也不能下载程序,提示“cann't verify flash&r... 2023-06-13 AVR并口下载线注意问题驱动文章单片机AVR单片机
几种单片机的IO位寻址的方法 众所周知，51单片机可以进行位寻址，例如P1^2=0;在430单片机的IO不可进行位寻址，则常用#define DIN0 P4OUT&=~BIT5; 输出低电平#define DIN1 P4OUT|= BIT5; 输出高电平#define DOUT P4IN&BIT6; 定义为输入端口来定义，由于头文件#include 中已经包含了定义#define B... 2023-06-13 IO寻址MSP430AVR头文件文章单片机基础知识
AVR单片机的EEPROM读写分析 由于AVR的EEPROM写周期比较长(一般为毫秒级),因此在编程使用过程中要特别注意.对于读EEPROM没什么好说的,读一个字节的数据要耗费4个时钟周期,可以忍受,写就比较麻烦了,虽然放在EEPROM的数据都不是频繁访问的;虽然可以用读-比较-写的机制降低EEPROM的写操作频度,但在写入... 2023-06-13 AVREEPROM读写数据中断文章单片机基础知识
avr单片机的熔丝配置 （1）在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）。因此，配置熔丝位的过程实际上是“配置熔丝位成为... 2023-06-13 AVRAVR单片机熔丝配置单片机文章
ATmega128中重要熔丝位的配置 （1）熔丝位M103C。M103C的配置将设定ATmega128是以ATmega103兼容方式工作运行还是以ATmega128本身的方式工作运行。ATmega128在出厂时M103C默认状态为“0”，即默认以ATmega103兼容方式工作。当用户系统设计使芯片以ATmega128方式工作时，应首先将M103C的状态配置为&l... 2023-06-13 AVRAVR单片机熔丝配置单片机文章
AVR熔丝位的配置设置 用户使用并行编程方式、ISP编程方式、JTAG编程方式都可以对AVR的熔丝位进行配置，但不同的编程工具软件提供对熔丝位的配置方式（指人机界面）也是不同的。有的是通过直接填写熔丝位位值（如：CVAVR、PonyProg2000和SLISP等），有的是通过列出表格选择（如 AVR STUDIO、BASCOM-AVR）。前者... 2023-06-13 AVR熔丝位配置设置AVR单片机单片机文章
ATmega16的熔丝设置详解 在此写下自己对熔丝的理解，参照了一些MEGA16的PDF文档，双龙的文档，以及大家的帖子。力求易懂、全面。下面以双龙的在系统编程软件SLISP为例具体说明我对熔丝的理解。a introb 低位(时钟及启动时间设置）：c 时钟总表d 高位(BOOT区设置)：e 常用熔丝设置打开运行SLISP.exe，首先记住：1... 2023-06-13 AVR熔丝位配置设置AVR单片机单片机文章
AVR外部中断实验程序 /*****************************************************This program was produced by theCodeWizardAVR V2.05.5a EvaluationDate : 2011/12/13Author : Freeware, for evaluation andnon-commercial use onlyChip... 2023-06-13 AVR外部中断程序单片机文章AVR单片机
AVR单片机外部RAM访问 最近的一个项目中，体会了一下AVR单片机的外部RAM扩展，发文记录于此。本文以ATMEGA64单片机为测试平台，外扩74HC573（资料上讲用AHC系列，但是我用HC系列在16M晶振下配置成最快速度访问并没有发现什么不妥，当然这是个不严谨的设计）以及62256芯片。我采用的是GCC编译器，并且在项目中... 2023-06-13 AVR单片机外部RAM访问文章AVR单片机
AVR单片机的BOOT区 使用BOOT区是解决这个矛盾的方法之一，它将FLASH存储器从物理上分为两个独立的区域，对其中的一个区的数据写入不会影响到另一个区的数据读取操作。我们可以让单片机的程序在其中一个区（通常是BOOT区）运行，而运行着的程序代码写入另外一个区（通常为应用程序区）内。AVR高档单片机AT... 2023-06-13 AVR单片机BOOT区文章AVR单片机
如何看懂数据手册？ 首先声明一点，真正的新手是看不懂数据手册的，如果你能，说明你已经入门了。所以，当你看到数据手册头疼的时候，不要灰心，其实别人和你一样。但是数据手册是AVR最好的书，你又必须得看懂数据手册，看数据手册不能急于求成，要一遍一遍的多看，应该说每次看都有不同的收获。新手看第一遍，迷... 2023-06-13 数据手册定时器AVR寄存器文章单片机AVR单片机
AVR单片机中的EEPROM 1.EEPROM介绍Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电气可拭除可编程只读存储器发展过程：ROM – > PROM –> EPROM –> EEPROM2.EEPROM和FLASH的区别2.1 使用上的区别FLASH用于存放程序，在程序运行过程中不能更改。我们编写的程序是烧录到FL... 2023-06-13 AVR单片机EEPROMFLASH文章基础知识
建立一个属于自己的AVR的RTOS(第一篇：函数的运行) 例子如下:makefile的设定:运行WinAvr中的Mfile，设定如下MCUType:mega8Optimizationlevel:sDebugformat:AVR-COFFC/C++sourcefile:选译要编译的C文件#includevoidfun1(void){unsignedchari=0;while(1){PORTB=i++;PORTC=0x01<<(i%8);... 2023-06-13 AVRRTOS函数的运行文章单片机AVR单片机
建立一个属于自己的AVR的RTOS(第二篇:人工堆栈) 第二篇：人工堆栈在单片机的指令集中，一类指令是专门与堆栈和PC指针打道的，它们是rcall相对调用子程序指令icall间接调用子程序指令ret子程序返回指令reti中断返回指令对于ret和reti，它们都可以将堆栈栈顶的两个字节被弹出来送入程序计数器PC中，一般用来从子程序或中断中退出。... 2023-06-13 AVRRTOS人工堆栈文章单片机AVR单片机
建立一个属于自己的AVR的RTOS(第三篇：GCC) 第三篇：GCC中对寄存器的分配与使用在很多用于AVR的RTOS中，都会有任务调度时，插入以下的语句：入栈：__asm____volatile__("PUSHR0\t");__asm____volatile__("PUSHR1\t");......__asm____volatile__("PUSHR31\t");出栈__asm____volatile__("POPR31\t");......__as... 2023-06-13 AVRRTOSgcc寄存器分配文章单片机AVR单片机
