场效应晶体管是近几十年来新发展起来的半导体器件。早在三十年代就有人从事这方面的研究，提出过一些设想，但由于当时半导体生产工艺还不够成熟，所以一直到1960年以后，才得到极其迅速的发展和广泛应用。它也是有三个引出电极的晶体管，但它的工作原理与普通晶体管不同，普通晶体管是电流控制器件，即在一定条件下，集电极电流Ic受控于基极电流Ib，而场效应管是电压控制器件，管子电流受控于栅极电压。和普通晶体管相比较，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小等特点，因此被广泛地应用于数字电路、通信设备和仪器仪表等方面。场效应晶体管的种类很多，普通常用的有结型场效应管和绝缘栅场效应管两种，绝缘栅场效应管又称为金属———氧化物———半导体场效应管，或简称MOS场效应管。近几年，随着固态中波广播发射机的投入使用。场效应晶体管成为该发射机中的主要电子元器件。为更好的理解掌握该元器件的结构、工作原理、特性及使用注意事项。下面就绝缘栅场效应管谈谈个人的理解。
吧 在讲述绝缘栅场效应晶体管的工作原理之前，先来谈谈什么是半导体的表面场效应。当我们在垂直于半导体表面的方向加一电场，则半导体表面将发生载流子（电子或空穴）的重新分布，因而半导体表面的导电能力也就改变了，这就是半导体的表面场效应。这个道理也很简单，因为半导体中的载流子都是带电的，P型半导体的多数载流子是空穴，带正电；N型半导体的多数载流子是电子，带负电。电子和空穴在表面电场的作用下都会发生运动。电子向着电场相反的方向移动，而空穴则向着电场的方向移动。例如在一块N型半导体和一块金属板上加一电压E将产生一个由半导体指向金属板的电场，如图1（a）所示，则在N型半导体中的电子受到电场的排斥力，电子被推向下，这块半导体上部表面的导电能力变得比原来小。而对如图1（b）所示的电场方向，则电子被吸引到上表面，使得半导体上表面薄层的导电能力变大。这就给我们一个启示，如果我们在这块半导体的两端制作两个电极，再接上负载电阻R和电源，如图2所示，只要我们改变电压e，也就是改变半导体和金属板上电场的大小，半导体的表面导电能力就改变了，使得流过负载R上的电流也随着变化，这就成为一个电压控制元件。如果输入电压e变化一个小量，负载R上产生一个变化较大的电压，这就有了放大作用。这就是绝缘栅场效应管的最初设想。