介绍-INTRODUCTION
MOSFET的全名是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，中文名是金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应管。
所以MOSFET的M以前是指METAL，用作栅极（GATE）绝缘层，但现在大多用多晶硅，因其耐温。然而随着半导体尺寸不断缩小，金属作为栅极材料又得到研究人员的关注。
MOSFET其实是一种单极型的电压控制半导体器件，栅极直流输入阻抗极高，具有驱动功率小、开关速度高、无二次击穿现象、安全区域宽的特点，开关频率高达500KH以上，特别适合在高频的装置上应用，但是MOSFET电流容量小、耐压低，就只能用于中小功率的装置。
结构-STRUCTURE
如图
源极（Source）：提供多数载流子（P型-空穴、N型-电子）的来源
漏极（Drain）：接受这些多数载流子的端点
栅极（Gate）：多晶硅组成，NMOSFET时接受正电压，PMOSFET时接受负电压
基极（Bulk/Body）：硅，在基极中可分为P型半导体掺杂和N型半导体掺杂。
由栅极+氧化层（二氧化硅）+基极= MOS电容
电路符号-CIRCIRT SYMBOLS
在一般分散式MOSFET中，通常把基极和源极接在一起，故分散式MOSFET通常为三端组件。
有时也会将代表沟道的直线以虚线代替，以区分增强型MOSFET或是耗尽型MOSFET。
关于下图我是从wikipedia抄来的，我只能理解第二和最后一组的判别。所以我就来讲解一下这两组，在这两组的判断中，我们利用图中的箭头永远是从P型指向N型的这一原理。当箭头从沟道指向源极（基极）时，为PMOSET，从源极指向沟道时为NMOSFET。
操作原理-OPERATING PRINCILPE
MOSFET开关原理：
1在这个N型MOS电容结构示意图，在这个图中，从上到下是栅极（多晶硅），氧化层（二氧化硅），基极（P型半导体），两遍分别是源极和漏极，他们都是N型的
2图中的N+，"N"是指N型掺杂，而当漏极和源极为N型掺杂时，此MOS就是N型MOSFET，反之亦然；"+"是指载流子的高浓度区，比其边上的要高，即浓度比基极要高。
3由于此处为NMOSFET，则沟道是由电子建立，而要基极（P型掺杂，即空穴比较多，所以一般情况下不通电）中的电子被吸到基极表面（即与氧化层相接处）形成浓度超过
空穴的反转层（即电子通道，亦即N沟道），所以，要在栅极加上足够的正电压。加负电压时截止
4若是PMOSFET时，则沟道是由空穴建立，所以当栅极上加上负电压时，基极与氧化层相接处形成反转层（即空穴通道），而此时两边的源极和漏极又正好是P型掺杂，所以得以接通导电。反之截止
注：P型=空穴多；N型=电子多。
反转层：电子浓度超过空穴浓度的区域，反之亦是。
操作模式-OPERATING MODE
MOSFET的操作模式：
1线性区（三极区）：当Vgs>Vth, Vds时，该MOS为导通状态，此时的MOS类似一个压控电阻，而漏极电流-电压关系近似一个线性方程式。示意图如图
2饱和区：当Vgs>Vth,Vds>Vgs-Vth时，即漏极-基极的电压比沟道-漏极的电压要高。超过栅极电压时，会使得接近漏极区的反转层电荷为零，即此处沟道消失，亦名夹止。主要原因在于靠近元几区的栅极电压以及不足以让沟道反转，而造成所能提供的载流子有限，限制了沟道的电流大小。
3当Vgs<vth< span="">，该MOSFET处于截止状态，沟道无法反转，MOSFET不导通。而事实上，即使Vgs<vth< span="">时，仍然会有高能量载流子可以从半导体表面流至漏极，还会形成一个弱反转层。该情况在如动态随机存储储存器（DRAM）这样的拥有大量MOSFET的集成电路中，会造成额外的能量消耗。
注：Vgs：栅极（Gate）到源极（Source）的电压；Vth：临界电压
Vds：漏极（Drain）到源极的电压
应用和特点-APPLICATIONS AND ADVENTAGES
MOSFET更适合高频下运用，它的稳定性，和相对独立性要强于晶体管，尤其MOSFET属于压控流器件，就是电压控制电流器件，对电路前后干扰较小。
在开关电源中的应用简述：
开关电源的目的就是把直流型电源变成另一个直流型电源。
为了变压------需要变压器----而变压器只感应交流电-------于是用MOSFET等（IGBT）电控开关把直流电源变成交流电，最后再用整流电路把变好的交流电变回需要的直流电源。