有些瑕疵望指正。
我将问题当中的制作理解为“制造”。下面主要讲解制造一片IC所需要的工艺流程，简要科普设计流程。
1.设计
在制造之前，需要有专业的IC designer讲所要制造的IC设计出来。
设计IC可以分得很细，传统的VLSI设计流程可分为：
(1).System specification
(2).Functional design
(3).Logic synthesis
(4).Circuit design
(5).Physical design and verification
我是学制程的，对设计不做过多解释，住进时间还能打把dota。
有了物理设计图纸之后，我们就要考虑将其在
2.工艺（制程）
(1)晶圆制造：以Si为例。目前业界主流的IC都是基于Si的，所以我们需要先获得加工的原材料，就是高纯度的硅了。提炼出高纯度的硅之后，我们就考虑如何获得具有相同晶向的单晶硅，厂商会首先通过拉晶的方法得到一根一根的硅碇，通俗表达式通过一块籽晶在熔融的液态硅上拉获得的，在此过程中可以进行N或者P型的掺杂，然后将其打磨，抛光，切片，抛光。产业界所用的硅片都是双面抛光的了，如果你没见过，我告诉你硅片的样子看着就像中间没有洞洞的光盘。目前TSMC主要在用12寸晶圆，不断有说其在推进18寸晶圆。一块晶片上就可以加工得到许许多多相同的IC。然而一块纯硅片是不够的，我们还需要在纯硅两侧镀上氧化层(以后简写为Oxi)，基于硅得天独厚的优势，可以轻易在炉管中加温通氧气获得天然氧化层SiO2绝缘层，这一层是很薄的，.但对COMS工艺具有相当重要的意义。
(2)晶圆加工：这里大概会重复20-30道主流的工艺，它们主要有：Clean、炉管、涂光阻、曝光、软/硬烤、显影、去光阻、蚀刻、掺杂(注入、扩散)、退火、镀铜（我会用金属溅镀sputter）、去铜（做interconnects）等。上面的步骤是需要重复的。对于传统IC而言，大致是：在晶圆表面制作出CMOSFET及各种电阻电容，再用8层立体金属连线将最底下这些器件按照图纸连起来。而在3D IC中更需要TSV、对准、bonding等步骤将两层wafer粘合到一起成为一块3D的芯片。
(3)电性测量：经过上述步奏，一片圆形的晶片上出现许多小格子，每一个格子就是我们希望得到的芯片的雏形了，之后需要测量一下加工完毕的片子的I-V,C-V等电气特性等，是有专门的测量仪器通过探针在打在两侧的金属或poly上扫描分析完成的，我做实验时候用的四个探针，不知道产业界如何。
(4)切割、封装：这一步是在封装厂里做的，晶圆厂（如TSMC）将加工完成的完整晶片运送至芯片封装厂（如日月光），封装厂通过设备将晶片(wafer)切割，得到许多相同的晶粒(die)，此时的芯片会比我们在市场上看到的CPU或内存小而薄得多，这是因为它们还没有封装。封装即是将die固定在塑料或陶瓷基座上，并引出许多引脚，最后用胶水密封。
(5)测试：顾名思义。与之前的电测相比，更具更仔细和有针对性。
以上所有步骤都是不希望有灰尘等杂质参与的。