首先，是延迟函数的使用：在做电机调速时，发现自己用C简单编写的延迟delay函数，会出现实际延迟时间与程序设定时间误差较大的情况，查阅一些资料，发现可以利用例程里已有的延迟汇编文件，编写较为准确的延迟函数DELAY-US(),且调用简单可靠。具体步骤如下：1，下载DSP281x_usDelay.asm文件，将内容改为
extern void DSP28x_usDelay(Uint32 Count);
.def _DSP28x_usDelay
.sect "ramfuncs"
.global __DSP28x_usDelay
_DSP28x_usDelay:
SUB ACC,#1
BF _DSP28x_usDelay,GEQ ;; Loop if ACC >= 0
LRETR
放于工程的source中；
2，在MOTOR.H文件中定义
#define CPU_RATE 6.667L // for a 150MHz CPU clock speed (SYSCLKOUT)
#define DELAY_US(A) DSP28x_usDelay(((((long double) A * 1000.0L) / (long double)CPU_RATE) - 9.0L) / 5.0L)
3，在GlobalPrototypes.h中定义
extern void DSP28x_usDelay(Uint32 Count);
4， 在程序中直接调用DELAY_US(A),例如 DELAY_US(1000L);,表示延迟1ms 。
其次，是2812flash烧写的问题，具体步骤如下:（1） 下载烧写FLASH配套CMD文件、LIB文件以及起始代码asm文件。
CMD文件名称：DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd
CMD文件名称：Flash.cmd
LIB文件名称：rts2800_ml.lib
ASM文件名称：DSP281x_CodeStartBranch.asm
（2）配置C文件
配置好主程序的C文件，才能将FLASH成功烧录，并且将FLASH中的文件拷贝到RAM中运行。
关于C文件的配置。
首先在F2812.CMD文件中，我们可以看到有关于加载FLASH到RAM的内容：
ramfuncs : LOAD = FLASHD,
RUN = RAML0,
LOAD_START(_RamfuncsLoadStart),
LOAD_END(_RamfuncsLoadEnd),
RUN_START(_RamfuncsRunStart),
PAGE = 0
以及在C文件中调用FLASH 到RAM的函数memcpy，将它放在系统初始化（InitSystem();）之后即可：
InitSystem();
memcpy(&RamfuncsRunStart,
&RamfuncsLoadStart,
&RamfuncsLoadEnd - &RamfuncsLoadStart);
Initflash();
关于ramfuncs，则在系统初始化中定义即可。如:sysctrl.c中
#pragma CODE_SECTION(InitFlash, "ramfuncs");
（3）我们需要定义所用变量：
extern Uint16 RamfuncsLoadStart;
extern Uint16 RamfuncsLoadEnd;
extern Uint16 RamfuncsRunStart;
我的这些定义都是：DSP281x_GlobalPrototypes.h 当中,当然，也可以放在其他系统初始化的地方。
Memcpy这个函数应该是rts2800_ml.lib库文件中自带的，不需要我们定义。
（4）烧写成功后的注意事项：
1． 一定要拔除仿真器（JTAG端），给电路板重新上电，方能实现FLASH启动。
2． 注意MP/MC引脚的电压。0为方式MC来作为计算机模式启动，3.3V为方式MP作为微处理器模式启动。
3． 由于GPIO引脚的F4F12F3F2决定了DSP2812的启动顺序，而从FLASH必须要在F4（SCITXDA）为1，而F12F3F2随意的状态下启动。请大家启动前确认F4引脚电压。