1、MT3360芯片下的过孔尽可能小，保证MT3360的地和电源完整性，过大的过孔会破坏地层和电源层的完整性
2、所有DDR3信号线下有1.5V的电源层作为参考，没有完整的1.5V电源层，会造成DDR信号不完整。
DDR数据线
3、DDR的DQ,DM信号线 W=5mil，S≥9mil。
4、DDR的DQS线Z= 100Ω ± 15%; W = 5-mil,S = 7-mil,与相邻信号线的间距≥20mil。
5、DDR数据信号线长度TL0≤5200mil。过长的走线造成DDR无法工作。
6、DQS线在顶层布线，线宽和间距要相等。顶层布线是避免产生过孔，减少信号损耗。
7、DDR数据线尽可能的减少过孔。过孔会产生寄生电容和寄生电感，增加信号的损耗。
DDR时钟线
8、DDR时钟线在无分割的地平面上布线。不完整的地平面，导致阻抗无法控制。
9、CLK线Z=100Ω±15%; W = 5-mil, S = 7-mil,与相邻信号线间距≥20mil。
10、TL0+TL1≤4600mil。TL2≤600mil。过长的走线造成DDR无法工作。
11、时钟信号对等宽等长，并在顶层布线。顶层布线是避免产生过孔，减少信号损耗。
DDR命令和控制线
12、命令线和控制线在无分割的地层或电源层上布线。
13、命令线和控制线W=5mil, S≥9mil。
14、命令线和控制线分支点到MT3360长度TL0≤2600mil。
15、命令线和控制线串联电阻到DDR长度之差为：CS#信号线 TL1-TL2≤100mil， 其他信号TL1-TL2≤300mil。
16、命令线和控制线穿越过孔≤5。
17、命令线和控制线串联电阻Rd尽可能靠近分支点。
USB和LVDS
18、USB和LVDS线要有完整的参考地层或电源层。
19、LVDS线Z=100Ω±15%，W=5mil, S=8mil, 包地间距GS=10mil。
20、USB线Z=90Ω±15%，W=7.5mil, S =7.5mil，与相邻信号的间距≥20mil。
21、USB和LVDS线长≤15000mil。
22、USB和LVDS差分线长度差≤100mil。USB和LVDS差分对等长等间距。
伺服光驱
23、RFO、A、B、C、D、E、F线尽可能的远离电机驱动线和高速信号线并用地与其他信号隔离。
24、RFO、A、B、C、D、E、F线尽可能的短，尽量避免使用过孔（如不可避免，过孔不超过2个），线宽线间距W≥8mil, S≥12mil。
25、MT3360的AF25脚和AA23脚的串联电阻尽可能靠近IC，并包地处理。
AV_IN和AV_OUT
26、AV-IN、AV-OUT和CVBS线应远离高速信号线，并用地隔离。
27、MICIN_P和MICIN_N用差分走线，W=10mil, S=10mil，远离高速信号线并包地处理。
蓝牙
28、平衡端布线要对称走线，并短于2mm；单端走线阻抗保持50欧。
29、平衡滤波器地挖空处理。
30、2.8V和1.2V线采用星形连接。
31、为电源线提供完整的地，电源线不要穿越数字信号线和强干扰信号线。
32、32K时钟线包地处理，不要靠近其他线。
33、26M时钟线做包地处理。
34、不要让强干扰的线穿越或并行蓝牙的数字线，特别是BT_URXD3, BT_UTXD3, PCMCLK, PCMSYNC, PCMIN, PCMOUT。
35、把蓝牙天线放置在pcb的角落。
36、做天线与地、屏蔽罩保持足够的距离>3mm。
GPS
37、RF路径尽可能的短，以减少RF信号的损耗。
38、所有的RF线必须把阻抗控制在50欧。
39、RF线布在表层并远离高速信号线。
40、通过铜皮隔离外部LNA的输入和输出引脚。
41、数字信号线远离GPS布线区域。
42、清除所有匹配器件下的铜皮，以减少寄生电容。
43、保持TCXO时钟线尽可能的短，并远离噪音信号线。
44、TCXO时钟线包地处理。
45、晶振远离高温器件，以减少频率偏移。
46、挖空晶振下面的地。
LCD
47、LCD接口的三组R、G、B数据线和时钟线包地处理。
SD卡
48、SD卡的命令和数据信号线作为一组，做包地处理。
49、SD卡时钟线包地处理。
50、SD卡的命令、数据、时钟线等长。
27M晶振
51、挖空27MHz晶振下面的地。
52、使XI/XO线在第二层走线。
1、MT3360芯片下的过孔尽可能小，保证MT3360的地和电源完整性，过大的过孔会破坏地层和电源层的完整性
2、所有DDR3信号线下有1.5V的电源层作为参考，没有完整的1.5V电源层，会造成DDR信号不完整。
DDR数据线
3、DDR的DQ,DM信号线 W=5mil，S≥9mil。
4、DDR的DQS线Z= 100Ω ± 15%; W = 5-mil,S = 7-mil,与相邻信号线的间距≥20mil。
5、DDR数据信号线长度TL0≤5200mil。过长的走线造成DDR无法工作。
6、DQS线在顶层布线，线宽和间距要相等。顶层布线是避免产生过孔，减少信号损耗。
7、DDR数据线尽可能的减少过孔。过孔会产生寄生电容和寄生电感，增加信号的损耗。
DDR时钟线
8、DDR时钟线在无分割的地平面上布线。不完整的地平面，导致阻抗无法控制。
9、CLK线Z=100Ω±15%; W = 5-mil, S = 7-mil,与相邻信号线间距≥20mil。
10、TL0+TL1≤4600mil。TL2≤600mil。过长的走线造成DDR无法工作。
11、时钟信号对等宽等长，并在顶层布线。顶层布线是避免产生过孔，减少信号损耗。
DDR命令和控制线
12、命令线和控制线在无分割的地层或电源层上布线。
13、命令线和控制线W=5mil, S≥9mil。
14、命令线和控制线分支点到MT3360长度TL0≤2600mil。
15、命令线和控制线串联电阻到DDR长度之差为：CS#信号线 TL1-TL2≤100mil， 其他信号TL1-TL2≤300mil。
16、命令线和控制线穿越过孔≤5。
17、命令线和控制线串联电阻Rd尽可能靠近分支点。
USB和LVDS
18、USB和LVDS线要有完整的参考地层或电源层。
19、LVDS线Z=100Ω±15%，W=5mil, S=8mil, 包地间距GS=10mil。
20、USB线Z=90Ω±15%，W=7.5mil, S =7.5mil，与相邻信号的间距≥20mil。
21、USB和LVDS线长≤15000mil。
22、USB和LVDS差分线长度差≤100mil。USB和LVDS差分对等长等间距。
伺服光驱
23、RFO、A、B、C、D、E、F线尽可能的远离电机驱动线和高速信号线并用地与其他信号隔离。
24、RFO、A、B、C、D、E、F线尽可能的短，尽量避免使用过孔（如不可避免，过孔不超过2个），线宽线间距W≥8mil, S≥12mil。
25、MT3360的AF25脚和AA23脚的串联电阻尽可能靠近IC，并包地处理。
AV_IN和AV_OUT
26、AV-IN、AV-OUT和CVBS线应远离高速信号线，并用地隔离。
27、MICIN_P和MICIN_N用差分走线，W=10mil, S=10mil，远离高速信号线并包地处理。
蓝牙
28、平衡端布线要对称走线，并短于2mm；单端走线阻抗保持50欧。
29、平衡滤波器地挖空处理。
30、2.8V和1.2V线采用星形连接。
31、为电源线提供完整的地，电源线不要穿越数字信号线和强干扰信号线。
32、32K时钟线包地处理，不要靠近其他线。
33、26M时钟线做包地处理。
34、不要让强干扰的线穿越或并行蓝牙的数字线，特别是BT_URXD3, BT_UTXD3, PCMCLK, PCMSYNC, PCMIN, PCMOUT。
35、把蓝牙天线放置在pcb的角落。
36、做天线与地、屏蔽罩保持足够的距离>3mm。
GPS
37、RF路径尽可能的短，以减少RF信号的损耗。
38、所有的RF线必须把阻抗控制在50欧。
39、RF线布在表层并远离高速信号线。
40、通过铜皮隔离外部LNA的输入和输出引脚。
41、数字信号线远离GPS布线区域。
42、清除所有匹配器件下的铜皮，以减少寄生电容。
43、保持TCXO时钟线尽可能的短，并远离噪音信号线。
44、TCXO时钟线包地处理。
45、晶振远离高温器件，以减少频率偏移。
46、挖空晶振下面的地。
LCD
47、LCD接口的三组R、G、B数据线和时钟线包地处理。
SD卡
48、SD卡的命令和数据信号线作为一组，做包地处理。
49、SD卡时钟线包地处理。
50、SD卡的命令、数据、时钟线等长。
27M晶振
51、挖空27MHz晶振下面的地。
52、使XI/XO线在第二层走线。