相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法 相变存储器是一种透过使用电加热方式以改变材料相位和硫化层阻抗为基础的非挥发性存储器。它被喻为可取代既有闪存和DRAM的可能候选技术，但这项技术却难以用在90nm以下工艺。不过，IBM指出，结合了速度、耐用性、非挥发性和密度等特性，PCM可望在未来五年内于企业IT和储存系统领... 2023-06-13 相变存储器PCM多个位元文章技术应用消费电子
