MOSFET大功率管损坏的五大原因，因功率和温度造成 1．漏源间的导通电阻RDS(on).MOSFET在导通时漏源之间的电阻并不为零，当有漏极电流I。流过时就会产生导通损耗Pon。当导通损耗Pon超过管子的PDMAx时MOSFET就会因功耗过大而损坏。由于开关电源和DC-DC变换器的电流波形接近于矩形，所以在计算管子的导通损耗Pon时必须先将漏极电... 2023-06-14 功率管损坏原因MOSFET
LED驱动电源设计基本知识 1、LED电流大小大家都知道LEDripple过大的话，LED寿命会受到影响，影响有多大，也没见过哪个专家说过。以前问过LED厂这个数据，他们说30%以内都可以接受，不过后来没有经过验证。建议还是尽量控制小点。如果散热解决的不好的话，LED一定要降额使用。也希望有专家能给个具体指标，要不... 2023-06-13 LED芯片功率管频率文章技术应用电源
LED驱动设计5大关键点 1、芯片发热这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率mos管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs... 2023-06-13 LEDLED驱动功率管峰值电流文章技术应用光电显示
各种晶体管的检测方法大全 晶体管的检测：1、检测小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端... 2023-06-13 通用电子测量小功率红外接收功率管文章课设毕设测量类
【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件 1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起... 2023-06-13 GaN功率管SiC功放器件SiCMOSFET文章基础课电子技术基础
功率管与三极管的区别是什么 本文主要是关于三极管的相关介绍，并着重对三极管和功率管进行了详尽的对比分析。三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件... 2023-06-13 功率管三极管区别文章基础课模拟电路
