基于LED冷光源的智能路灯控制系统设计 引言当前巨大的能源消耗和由此引起的能源短缺、价格上涨等已使得节约能源成为一项十分迫切的任务。国家/十一五计划0提出/要把节约资源作为基本国策0，首次提出十一五期间单位国内生产总值能源消耗降低20%左右的目标。原建设部在5/十一五0城市绿色照明工程规划纲要6中明确... 2023-06-13 JFET高精度可程控放大电路设计文章课设毕设控制类
MOS管使用讲义 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了... 2023-06-13 MOS管NMOSJFET文章基础课模拟电路
温度对输入偏置电流的影响 PN节的反向偏置漏电流有很强的正温度系数，每升高10℃,漏电流大约增大一倍。在figure1归一化曲线中可以看出，这种指数增长使得漏电流快速增加。到125℃时，漏电流相对室温下增长了约1000倍。不同的二极管特性使得漏电流增加的速率不一样，两倍的漏电流可能在8℃到11℃左右的范围... 2023-06-13 CMOSJFET偏置电流运算放大器文章基础课模拟电路
CMOS放大器和JFET放大器的输入偏置电流 CMOS晶体管的栅极 (CMOS运算放大器的输入端)有极低的输入电流。必须设计附加的电路来对脆弱的栅极进行ESD和EOS保护。这些附加的电路是输入偏置电流的主要来源。这些保护电路一般都通过在电源轨之间接入钳位二极管来实现。图1a中的OPA320就是一个例子。这些二极管会存在... 2023-06-13 CMOSJFET偏置电流运算放大器文章基础课模拟电路
增强型和耗尽型场效应晶体管 总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。这两种类型的FET各有其特点和用途。一般，增强型FET在高速、低功耗电路中很... 2023-06-13 场效应晶体管增强型耗尽型MOSFETJFET文章基础课电子技术基础
