超强总结：开关电源技术发展的十个关注点 功率半导体器件从双极型器件（BPT、SCR、GTO）发展为MOS型器件（功率MOSFET、IGBT、IGCT等），使电力电子系统有可能实现高频化，并大幅度降低导通损耗，电路也更为简单。自上世纪80年代开始，高频化和软开关技术的开发研究，使功率变换器性能更好、重量更轻、尺寸更小。高频化和软开关技术... 2023-06-13 开关电源线性稳压电源SCR相控超级结文章技术应用电源
如何调整PCB布局以降低MOSFET辐射 在某些情况下，比如输入电压瞬变或短路，MOSFET所承受的高di/dt和dv/dt可能会导致开关特性异常或器件损坏。图1显示的是关断瞬态期间PFC电路中超级结MOSFET的振荡波形。器件和电路板中的寄生元件毫无疑问是引起不必要振荡和噪声的主要原因。在这种情况下，增大栅极电阻能够抑制... 2023-06-13 PCB布局超级结MOSFET辐射文章硬件设计PCB设计
