双极型晶体管和场效应管基础知识 1.场效应管主要有结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。绝缘栅型场效应管的衬底(B)与源析(S)连在一起，它的三个极分别为栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极... 2023-06-13 双极型晶体管场效应管文章基础课模拟电路
什么是单极型晶体管和双极型晶体管？ 一、单极型晶体管单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故称为单极型晶体管。特点：输入电阻高，可达107 ~ 1015 Ω，绝缘栅型场... 2023-06-13 单极型晶体管双极型晶体管文章基础课模拟电路
igbt内部等效电路图及图形符号 igbt内部等效电路图及图形符号IGBT（绝缘栅双极型晶体管）综合了GTR与MOSFET的优点，是以达林顿结构组成的一种新型电力电子器件，其主体部分与晶体管相同，有集电极C和发射极E，具有通流电流大，驱动功率小，驱动电路简单，开关速度快等良好的特性，自从20世纪80年代开始投入市场，应用领域迅... 2023-06-13 双极型晶体管电路分析电子技术基础文章基础课
igbt使用注意事项 随着电子技术及计算机控制技术的发展，IGBT正日益广泛地应用于小体积、低噪声、高性能的电源、通用变频器和电机控制、伺服控制、不间断电源（UPS）等场合。IGBT在使用过程中，应注意如下问题：1）一般IGBT的驱动级正向驱动电压ＵGE应保持在15V～20V，这样可使IGBT的饱和电压较小，损耗降低，避... 2023-06-13 电子技术IGBT双极型晶体管文章基础课电子技术基础
