CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计 提出了应用0.13 ?滋mCMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关。测试结果显示，在Ka波段此单片开关插损为2.7～3.7 dB，在35 GHz时测得的输入1 dB压缩点（P-1 dB）为8 dBm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络，测得的开关... 2023-06-13 ka波段单刀双掷开关高隔离度CMOSTR开关文章单片机其他
