用集成驱动器优化GaN性能 氮化镓 （GaN） 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 （GaN） 晶体管 的终端电容较低，并避免了体二极管所导致的反向恢复损耗。正是由于这些特性，GaN FET可以实现更高的 开关频率，从而在保持合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。传统上，GaN器件被... 2023-06-13 GaN晶体管驱动器电感文章基础课其他
