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FLASH 模拟 EEPROM

STM32FLASH简介不同型号的STM32，其FLASH容量也有所不同，最小的只有16K字节，最大的则达到了1024K字节。战舰STM32开发板选择的STM32F103ZET6的FLASH容量为512K字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分...

2023-06-13 FLASH 模拟 EEPROM 存储器 STM32 文章单片机

关于STM32的flash读写数据和HardFault_Handler的问题

void FLASH_WriteByte(u32 addr ,u16 flashdata1){FLASH_Status FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;FLASH_Unlock();//解锁FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);FLASHstatus=FLASH_E...

2023-06-13 STM32 FLASH 读写数据问题文章单片机

STM32 IAP(对flash进行读写)

/*************************************************************/#include "STM32Lib\\stm32f10x.h"#include "hal.h"#defineFLASH_ADR0x08008000//要写入数据的地址#defineFLASH_DATA0x5a5a5a5a//要写入的数据int main(void){...

2023-06-13 STM32 IAP FLASH 读写单片机程序设计文章

Flash型单片机解密及其加密方法

1.BDM程序调试接口Freescale公司的很多单片机都借用一种被称为后台调试模式（Background Debug Mode，BDM）作为下载和调试程序的接口。BDM是一种单线调试模式，芯片通过一个引脚与编程器进行通信。在HCS12系列单片机中，内部都置有标准的BDM调试模块。该模块的有三种作用：1) 对内部...

2023-06-13 FLASH 单片机解密方法加密方法文章基础知识

关于STM32主存储块擦除编程操作的一些疑问

1．为什么每次都要检查BSY位是否为0？因为BSY位为1时，不能对任何FPEC寄存器执行写操作，所以必须要等BSY位为0时，才能执行闪存操作。2．如果没有擦除就进行编程，会出现什么结果？STM32在执行编程操作前，会先检查要编程的地址是否被擦除，如果没有，则不进行编程，并置FLASH_SR寄存器的PGERR位...

2023-06-13 STM32 主存储模块 FLASH 等待周期文章单片机

什么是IAP？如何实现IAP？

IAP是In Application Programming的首字母缩写，IAP是用户自己的程序在运行过程中对User Flash的部分区域进行烧写，目的是为了在产品发布后可以方便地通过预留的通信口对产品中的固件程序进行更新升级。通常在用户需要实现IAP功能时，即用户程序运行中作自身的更新操作，需要在...

2023-06-13 STM32 IAP FLASH 中断向量表文章单片机

高手学习DSP的总结

关于DSP和普通51 AVR还有STM32的区别DSP是为运算而生的芯片，他最强大的地方就在与它的数**算性能，那是由它的指令集支持的。那些拿DSP和STM32比较的，省省吧，如果你两者都熟悉你就知道根本没啥好比的，如果我需要很多高级的接口，比如以太网和USB，那么我自然选STM32，如果我需要实现...

2023-06-13 DSP FLASH RAM ROM 文章单片机

如何提高FLASH的擦写次数

在实际应用中,用户经常需要在程序运行过程中保存或读取一些数据,这些数据在工作中经常会变化,而且掉电后也不能丢失,所以需要及时地进行存储,存储这些数据常用的存储器是EEPROM。HXM6002虽然本身不带EEPROM,但是它支持自编程技术,可以利用FLASH来模拟EEPROM,这样不仅简化...

2023-06-13 FLASH 擦写次数 EEPROM 数据文章单片机 MSP430单片机

avr的flash和ram存放的数据问题

avr单片机是基于哈佛结构，它的程序存储器和数据存储器分开。avr的Flash存储器空间存放的内容有：(1)text:程序代码区(2)interrupt vectors:存放中断向量(3)fun_lit:函数列表区。函数列表区包含了函数的入口地址。(4)lit:整型数和浮点数常量区。存放的是程序中的常量数据。(5...

2023-06-13 AVR FLASH SRAM 指针文章单片机 AVR单片机

正确配置AVR熔丝位的方法

（1）在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）。因此，配置熔丝位的过程实际上是“配置熔丝位成为...

2023-06-13 AVR芯片熔丝位 FLASH E2PROM 文章单片机 AVR单片机

延长FLASH与EEPROM芯片写入次数的办法

在开发电子产品时，常常需要断电后保存某些数据，这就需要使用 FLASH或EEPROM芯片，这两种芯片，可擦除的次数是有限制的，通常FLASH为10万次，EEPROM要多一点，为100万甚至1000万次。 FLASH的擦除不能单个字节进行，有一个最小单位，存储容量相对比较大，适合大量数据的存储;EEPROM可以单个...

2023-06-13 FLASH EEPROM flag 文章单片机基础知识

关于DSP配置CMD文件的使用

关于CMD文件的配置：首先在F2812.CMD文件中，可以看到有关于加载FLASH到RAM的内容：ramfuncs : LOAD = FLASHD,RUN = RAML0,LOAD_START(_RamfuncsLoadStart),LOAD_END(_RamfuncsLoadEnd),RUN_START(_RamfuncsRunStart),PAGE = 0以及在C文件中调用FLASH 到R...

2023-06-13 嵌入式 FLASH DSP 2812 CMD文件 CMD 文章单片机

AVR单片机中的EEPROM

1.EEPROM介绍Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电气可拭除可编程只读存储器发展过程：ROM – > PROM –> EPROM –> EEPROM2.EEPROM和FLASH的区别2.1 使用上的区别FLASH用于存放程序，在程序运行过程中不能更改。我们编写的程序是烧录到FL...

2023-06-13 AVR 单片机 EEPROM FLASH 文章基础知识

STM32 对内部FLASH读写接口函数

原理：先要把整页FLASH的内容搬到RAM中，然后在RAM中改动，然后擦除整页FLASH，再把改动后的内容写入原Flash页。下面程序调试通过。/******************************************************************************** Function Name : I2C_EE_BufferRead* Descript...

2023-06-13 STM32 FLASH 读写接口函数文章单片机

单片机中ROM、RAM、Flash的区别

譬如说，现在家用的电子式电度表，它的内核是一款单片机，该单片机的程序就是存放在ROM里的。电度表在工作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。电压和电流时一个适时的数据，用户不关心，它只是用来计算电度用，计算完后该次采集的数据就用完了，然后...

2023-06-13 单片机 ROM RAM FLASH 区别文章基础知识

DSP2812 FLASH烧写成功经验总结

1.一定要下载最新的FLASH烧写插件，可以避免很多奇怪的错误出现，这一点非常重要，本人就是在此问题困扰了一整天。名称是：C2000-2[1][1].00-SA-to-UA-TI-FLASH2X.EXE我使用的产品版本号为2.02.0012.下载烧写FLASH配套CMD文件、LIB文件以及起始代码asm文件。CMD文件名称：DSP281x_...

2023-06-13 DSP2812 FLASH 烧写经验总结文章单片机 DSP

ST官方flash loader软件串口方式下载HEX

对于STM32，ST官方提供了一个flash loader demo软件，用于通过串口方式(ISP)下载工程HEX文件（注意下载前应将硬件BOOT引脚配置为系统存储器启动模式，即BOOT0为1，BOOT1为0。下载完毕后，将引脚配置为主闪存存储器启动模式，即BOOT0为0，BOOT1为任意。然后上电运行）。关于系统存储器启动...

2023-06-13 ST FLASH loader软件串口方式 ISP 下载HEX 文章单片机 STM32

基于MCU内部Flash的在线仿真器设计方案

由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级，MCU应用的领域也不断扩展，因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比，最大的优点就在于可进行高达上万次的擦写操作，顺应了MCU功能不断修改的需求；另一方面，Flash MCU市场价格也在不断下降。实际上，Flash M...

2023-06-13 MCU内部 FLASH 在线仿真器文章软件开发仿真

使用JTAG的一些心得

通常所说的JTAG大致分两类，一类用于测试芯片的电气特性，检测芯片是否有问题；一类用于Debug；一般支持JTAG的CPU内都包含了这两个模块。一个含有JTAG Debug接口模块的CPU，只要时钟正常，就可以通过JTAG接口访问CPU的内部寄存器和挂在CPU总线上的设备，如FLASH，RAM，SOC（比如4510B，44Box，AT...

2023-06-13 JTAG FLASH CPU总线文章软件开发嵌入式OS

PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存储器比较

PROM、EEPROM、FLASH的总结性区别 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一...

2023-06-13 PROM EEPROM FLASH SRAM DRAM 区别文章基础课微机原理

调试TMS320C2000系列的常见问题？

1)单步可以运行，连续运行时总回0地址：Watchdog没有关，连续运行复位DSP回到0地址。2)OUT文件不能load到片内flash中：Flash不是RAM，不能用简单的写指令写入，需要专门的程序写入。CCS和CSourceDebugger中的load命令，不能对flash写入。OUT文件只能load到片内RAM，或片外RAM中。3)在fla...

2023-06-13 调试 TMS320C2000系列 FLASH 中断向量文章软件开发仿真

FLASH程序存储器常见的编程方法

这里我们列举了三种方法：(1)传统的并行编程方法；(2)通过串行口进行在线编程ISP(In System Programmability) 对器件或电路甚至整个系统进行现场升级或功能重构；(3)在运行中，应用程序控制下的应用在线编程IAP (In Applocation Programing) 简单地说就是在某一个Section中运行...

2023-06-13 FLASH 程序存储器在线编程并行编程文章软件开发程序设计

FLASH ROM与EEPROM 区别

EEPROM，虽然也叫“非易失性数据存储器”，但它不能直接参与ALU运算，只是用于掉电不丢失的数据存储。EEPROM和片内RAM类似，也属于数据存储器，它的特点是数据掉电可保持，而程序存储器一般指ROM，用于存储用户程序代码。EEPROM和FLASH基本都是非易失性存储器。EEPROM应属于...

2023-06-13 FLASH ROM EEPROM 区别文章基础课电子技术基础

嵌入式FLASH的编程资料

（1）编程器编程它是最原始的编程的方法。在编程芯片焊装到电路板之前使用专门的编程器对芯片进行代码或数据的写入，然后将编程的芯片安装到电路板上。使用编程器特别使用于DIP封装的芯片，如果是其他类型的封装（如TSOP56、PLCC、DFP、PSOP、SOIC、SSOP、SDIP等）则需要相应的适配...

2023-06-13 嵌入式 FLASH 编程资料文章基础课其他

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区分

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读...

2023-06-13 ROM RAM DRAM SRAM FLASH 区分文章基础课电子技术基础