STM32FLASH简介
不同型号的STM32，其FLASH容量也有所不同，最小的只有16K字节，最大的则达到了1024K字节。战舰STM32开发板选择的STM32F103ZET6的FLASH容量为512K字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），
STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为256页，每页2K字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有1K字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000，B0、B1都接GND的时候，就是从0X08000000开始运行代码的。
信息块，该部分分为2个小部分，其中启动程序代码，是用来存储ST自带的启动程序，用于串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
闪存的读取
内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个AHB接口与CPU衔接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取CPU要求的指令块，预取指令块仅用于在I-Code总线上的取指操作，数据常量是通过D-Code总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问D-Code将比预取指令优先级高
这里要特别留意一个闪存等待时间，因为CPU运行速度比FLASH快得多，STM32F103的FLASH最快访问速度≤24Mhz，如果CPU频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用72Mhz的主频，那么FLASH等待周期就必须设置为2，该设置通过FLASH_ACR寄存器设置。
使用STM32的官方固件库操作FLASH的几个常用函数。这些函数和定义分布在文件stm32f10x_flash.c以及stm32f10x_flash.h文件中。
1.锁定解锁函数
在对FLASH进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）,固件库函数实现很简单：
voidFLASH_Unlock(void)；
同样的道理，在对FLASH写操作完成之后，我们要锁定FLASH，使用的库函数是：
voidFLASH_Lock(void)；
2.写操作函数
固件库提供了三个FLASH写函数：
FLASH_StatusFLASH_ProgramWord(uint32_tAddress,uint32_tData);
FLASH_StatusFLASH_ProgramHalfWord(uint32_tAddress,uint16_tData);
FLASH_StatusFLASH_ProgramOptionByteData(uint32_tAddress,uint8_tData);
顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord为32位字写入函数，其他分别为16位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32位字节写入实际上是写入的两次16位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的STM32闪存的编程每次必须写入16位并不矛盾。写入8位实际也是占用的两个地址了，跟写入16位基本上没啥区别。
3.擦除函数
固件库提供三个FLASH擦除函数：
FLASH_StatusFLASH_ErasePage(uint32_tPage_Address);
FLASH_StatusFLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_StatusFLASH_EraseOptionBytes(void);
这三个函数可以顾名思义了，非常简单。
4.获取FLASH状态
主要是用的函数是：
FLASH_StatusFLASH_GetStatus(void)；
返回值是通过枚举类型定义的：
typedefenum
{
FLASH_BUSY=1,//忙
FLASH_ERROR_PG,//编程错误
FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误
FLASH_COMPLETE,//操作完成
FLASH_TIMEOUT//操作超时
}FLASH_Status;
从这里面我们可以看到FLASH操作的5个状态，每个代表的意思我们在后面注释了。
5.等待操作完成函数
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：
FLASH_StatusFLASH_WaitForLastOperation(uint32_tTimeout)
入口参数为等待时间，返回值是FLASH的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。
6.读FLASH特定地址数据函数
有写就必定有读，而读取FLASH指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数：
u16STMFLASH_ReadHalfWord(u32faddr)
{
return*(vu16*)faddr;
}
//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据. u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{ return *(vu16*)faddr; } #if STM32_FLASH_WREN//如果使能了写
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u16 i; for(i=0;i<NumToWrite;i++) {
FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]); WriteAddr+=2;//地址增加2. }
} //从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址 FLASH_Unlock();//解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;//实际偏移地址. secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;//扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;//扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{ if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除 }
if(i<secremain)//需要擦除
{ FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区 for(i=0;i<secremain;i++)//复制 {
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{ secpos++;//扇区地址增1 secoff=0;//偏移位置为0 pBuffer+=secremain; //指针偏移 WriteAddr+=secremain;//写地址偏移 NumToWrite-=secremain;//字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}
};
FLASH_Lock();//上锁
}
#endif //从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead) {
u16 i; for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节. ReadAddr+=2;//偏移2个字节. }
}
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData) {
STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
}