IS62WV51216简介
IS62WV51216是ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：
l高速。具有45ns/55ns访问速度。
l低功耗。
lTTL电平兼容。
l全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
l三态输出。
l字节控制功能。支持高/低字节控制。
看看实现IS62WV51216的访问，需要对FSMC进行哪些配置。这里就做一个概括性的讲解。步骤如下：
1）使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO及其时钟使能。
要使用FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，全部配置为复用输出，并使能各IO组的时钟。
使能FSMC时钟的方法：
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
对于其他IO口设置的方法前面讲解很详细，这里不做过多的讲解。
2）设置FSMCBANK1区域3。
此部分包括设置区域3的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。我们使用模式A、16位宽，读写共用一个时序寄存器。使用的函数是：
voidFSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct)
3）使能BANK1区域3。
使能BANK的方法跟前面LCD实验也是一样的，这里也不做详细讲解，函数是：
voidFSMC_NORSRAMCmd(uint32_tFSMC_Bank,FunctionalStateNewState)；
通过以上几个步骤，我们就完成了FSMC的配置，可以访问IS62WV51216了，这里还需要注意，因为我们使用的是BANK1的区域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0X68000000。
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
//对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17
//对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
#define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000)) //初始化外部SRAM
void FSMC_SRAM_Init(void)
{
FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure; FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming; GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE); RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33; //PORTD复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出
GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83; //PORTE复用推挽输出
GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F; //PORTD复用推挽输出
GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F; //PORTD复用推挽输出
GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure); readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到
readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片) readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00; readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00; readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00; readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;//存储器写使能 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序 FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置
FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE); // 使能BANK3
}
//在指定地址开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n) {
for(;n!=0;n--)
{ *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
pBuffer++; }
} //在指定地址开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数 void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)
{ *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
ReadAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1. }
} //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// //测试函数 //在指定地址写入1个字节 //addr:地址 //data:要写入的数据 void fsmc_sram_test_write(u8 data,u32 addr)
{ FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节 } //读取1个字节 //addr:要读取的地址 //返回值:读取到的数据 u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
{
u8 data; FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
return data;
}