6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门 由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助。当MOSFET作用在电路中时，由于MOSFET速度比较快，因此关断过程中不会产生负压，但值得一提的是，在干扰较重的情况下，这一现象是有助... 2023-06-13 IGBTMOS隔离驱动文章技术应用电源
隔离驱动IGBT等功率器件知多少 1. 故障保护功能有哪些？都是集成在隔离驱动器里吗？三种故障保护功能都集成到Avago的高集成栅极驱动器ACPL-33xJ里-UVLO(以避免VCC2电平不足够时开启IGBT)，DESAT(以保护IGBT过电流或短路)，和米勒钳位(以防止寄生米勒电容造成的IGBT误触发)。2. 对于工作于600V直流母线的30～75A... 2023-06-13 IGBT米勒效应隔离驱动文章基础课模拟电路
隔离驱动IGBT等功率器件的设计技巧 1、如何避免米勒效应?IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到15V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合，在于IGBT关断期间,高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰)，这是潜在的危险。当上半桥的IGBT打开操作，dVCE/dt电... 2023-06-13 隔离驱动IGBT功率器件文章基础课其他
