(1)说明：一直以来我都对三极管开关电路很疑惑，比如驱动继电器和三极管
到底是用PNP还是NPN，到底是将负载放到三极管上面还是下面？为此
专门仔细阅读了《晶体管电路设计（下）》晶体管开关电路部分，得
实验结果若干，与大家共享。
(2)参考书籍：《晶体管电路设计（下）》
提要：
1.发射极接地型开关电路
2.提高开关速度的方法-︳(1)使用加速电容
︳(2)肖特基箍位
3.射极跟随器型开关电路
4.注：所用三极管为9011（NPN）
正文：
1.我翻过论坛里关于晶体管开关的很多帖子，我将网友的观点总结如下：
1、2接法：（1）可以让三极管深度饱和，是管压降在0.2V左右，
（2）这样可以降低功耗。
（3）缺点：开关速度慢
3、4接法：（1）可以不加其他元件直接应用（不用串联基极电阻）
（2）开关速度快
（3）缺点：射极跟随器，工作在放大状态，压降较大，不能深度饱和
(原文件名:1.jpg)
(原文件名:2.jpg)
2.提高开关速度的方法
(1)使用加速电容（有点效果，但远没有书中的明显，或许因为9011的特性比书作者
的好，即使不接加速电容效果也相对不错）
(原文件名:3.jpg)
(2)肖特基箍位（很杯具，效果不仅没变好，反而变得更糟糕，很疑惑这里到底出了
什么问题，与书上的结果差距这么大！）
(原文件名:4.jpg)
(原文件名:5.jpg)
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BTW(顺便问一下)：下面这种TXT样式的图形使用什么软件设计出来的？
VCC
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bell
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NPN--R-------IO
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GNDR
|
GND