晶振匹配和温度漂移问题的解决 目前在电子产品日新月异的今天，成本问题肯定是生产商考虑的重要因素，同样对晶振的运用也会考虑到成本因素，因此工程师在设计电路时，因有源晶体振荡器(俗称钟振)比普通无源谐振器价格高出5~10倍，从而更多地选择使用无源的晶体运用到电路中;只有在一些高端产品如工控类、高速通... 2023-06-13 晶振晶振匹配温度漂移钟振AT切晶体频率温度曲线文章基础课电子技术基础
TL431的几种常用用法 TL431的主要作用是使得电路获得更稳定的电压，TL431是一种较为精密的可控稳压源，有着较为特殊的动态阻抗。其动态响应速度快，输出噪声低，价格低廉。注意上述一句话概括，就是便宜，精密可控稳压源TL431。TL431的输出电压可以通过两个电阻任意地设置到从2.5V到36V电压，工作电流可以... 2023-06-13 模拟电路电路设计电子技术基础文章基础课
MEMS振荡器与传统石英晶振的比较优势 MEMS振荡器体积更小巧，厚度可低至0.25毫米MEMS振荡器的稳固程度为传统石英晶振的十倍MEMS振荡器功耗更低(3.5毫安）、启动速度更快(3毫秒)、精度更高(10PPM）MEMS振荡器采用的半导体技术，在生产的稳定性比传统石英晶振有优势MEMS振荡器采用可编程的半导体技术，供货周期由传统晶... 2023-06-13 电子元器件MEMS振荡器传统石英晶振稳定度效能文章基础课电子技术基础
有源晶振的点点滴滴 有源晶振型号纵多，而且每一种型号的引脚定义都有所不同，接法也不同,下面介绍一下有源晶振引脚识别：有点标记的为1脚，按逆时针（管脚向下）分别为2、3、4。有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式... 2023-06-13 电子元器件有源晶振压电谐振状态用法构成文章基础课电子技术基础
有源晶振输出串联电阻的作用 串电阻是为了减小反射波，避免反射波叠加引起过冲。有时，不同批次的板子特性不一样，留个电阻位置便于调整板子状态到最佳。如无必要串电阻，就用0欧电阻连接。反射波在大部分电路里有害，但PCI却恰恰利用了反射波形成有效信号。一、减少谐波，有源晶体输出的是方波，这将引起谐波干扰... 2023-06-13 有源晶振串联电阻阻抗匹配减少谐波文章基础课电子技术基础
运算放大器分析----虚短和虚断 面对模拟电路中各种公式，若是不掌握本质内容，即使知道公式，哪天换一种模式，可能就不会算了。本节主要讲解运算放大器的计算。运算放大器两板斧：“虚短”，“虚断”；虚短：在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一特性称为虚假短路，简称虚短；虚... 2023-06-13 模拟电路运算放大器电子技术基础文章基础课
电子元件分析:MOS管击穿的原因 MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金... 2023-06-13 电子元件MOS管击穿技术文章基础课电子技术基础
场效应管的替换 原则及好坏判断 场效应管的代换原则（只适合主板） 场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可 功率大的可以代换功率小的 技嘉主板的场管最好原值代换场效应管的好坏判断一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源... 2023-06-13 场效应管结型场效应管管脚判别代换原则文章基础课电子技术基础
增强型和耗尽型场效应晶体管 总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。这两种类型的FET各有其特点和用途。一般，增强型FET在高速、低功耗电路中很... 2023-06-13 场效应晶体管增强型耗尽型MOSFETJFET文章基础课电子技术基础
利用万用表定性测量场效应管的好坏 场效应管的转移特性曲线是表明当漏、源极所加电压V舾保持不变时，漏极电流ID和栅、源电压Vcs之间的曲线关系。它反映的是栅、源电压Vcs对漏极电流ID的控制作用。其中坐标横轴代表栅源电压Vcs，纵轴表示漏极电流ID。Vcs(off)是夹断电压，Vcs(th)是开启电压。如电视机图纸上的K30... 2023-06-13 场效应管万用表测量技术栅文章基础课电子技术基础
结型场效应管的管脚识别步骤 1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换... 2023-06-13 结型场效应管管脚识别判断栅极放大文章基础课电子技术基础
场效应管的基本应用：共源极放大器 1)静态工作点的测试 上图为场效应管共源极放大器实验电路图。该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以栅极与地等电位。即VG=0，可用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值。２）输入输出阻抗的测试（1） 输入阻抗的测量 上图是伏安法测试... 2023-06-13 场效应管共源极放大器漏极特性曲线结型场效应管阻抗测试文章基础课电子技术基础
浅谈FET 1.概念根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件.场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电... 2023-06-13 FET概述分类参数管脚识别文章基础课电子技术基础
场效应管的特性 下面以N沟道.结型场效应管为例说明场效应管的特性. 图1.1为场效应管的漏极特性曲线。输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区 。（ 1） 可变电阻区： 图中VDS很小，曲线靠近左边。它表示管子预夹断前电压.电流关系是：当VDS较小时，由于VDS的变化对沟道大小影响不大，沟道电... 2023-06-13 场效应管测试输出特性曲线可变电阻去恒流区击穿区文章基础课电子技术基础
电容开关知识详解 电容开关的主要特点采用数据存储技术,断电后参数不丢失,可保存数据长达10年。采用射频电容测量及微控制器技术,可以检测固体颗粒、粉料和液体(包括导电介质和非导电介质)尤其是可测量强腐蚀性介质;测量温度可达180℃，耐压可达4MPa。能克服探头上粘附层及物料喷溅对测量的... 2023-06-13 电子元器件电容开关特点参数文章基础课电子技术基础
场效应管特性 其主要特点有：(1)为了避免普通音量电位器传输失真，非稳态接触电阻、摩擦噪声和操作易感疲惫之嫌，本机采用音响型极低噪声VMOS场效应管IRFD113作指触音量控制。其相对于键控音量电路又减少了一些元件，并加以屏蔽，使音量控制部分的噪声系数达到1dB以下(VMOS场效应管噪声系数在0.... 2023-06-13 VMOS场效应管特性栅极源极无输出电容电路文章基础课电子技术基础
用指针式万用表对场效应管进行判别 如何用指针式万用表对场效应管进行判别?（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相... 2023-06-13 场效应管判别vmos管检测文章基础课电子技术基础
NE555典型应用电路图（二） NE555是一款应用十分广泛的集成芯片，通过几个简单的外围器件，就能组成各种电路，下面是NE555的典型应用原理图。11.电机PWM调速器电路12.电源超压报警电路13 .LED灯调光器电路14.光敏电阻光控报警电路15.光敏电阻光控开关电路16.红外线发射电路17 .简单闪光电路18.触摸开关电... 2023-06-13 电路分析电子技术基础NE555文章基础课
NE555典型应用电路图（一） NE555是应用最为广泛的时基集成电路，也是世界上生产最多的芯片，下面我们一起来看一看它的典型应用吧。1，方波产生电路2 . 震荡器实践电路3.GIC PROBE WITH PULSE 逻辑脉冲探头电路4. TRONOME 电子节拍器电路5. 0-5分定时器电路6. 电子门铃电路图7.SCHMITT TRIGGER施密特触发... 2023-06-13 电路分析电子技术基础NE555文章基础课
石英晶体谐振器介绍及应用 一、术语解释1、 标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。2、 工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。3、 调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度... 2023-06-13 电子元器件石英晶体谐振器老化率术语应用泛音文章基础课电子技术基础
晶振的识别/分类/测量 一、 单位：赫兹“Hz”1MHz=103kHz=106Hz符号： “X、Y” 二、 晶振的分类：主板上晶振主要分为：1、时钟晶振：与时钟芯相连频率为14.318MHz工作电压为1.1--1.6V2、实时晶振：与南桥相连频率为32.768MHz工作电压为0.4V左右3、声卡晶振：与志卡芯片相连频率为24.5... 2023-06-13 晶振分类标称测量代换原则文章基础课电子技术基础
晶体振荡器选用指南 晶体振荡器被广泛应用到军、民用通信电台，微波通信设备，程控电话交换机，无线电综合测试仪，BP机、移动电话发射台，高档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。它有多种封装，特点是电气性能规范多种多样。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（T... 2023-06-13 晶体振荡器频率稳定性晶体老化相位噪动抖动封装文章基础课电子技术基础
如何选用滤波电容 50Hz工频电路中使用的普通电解电容器，其脉动电压频率仅为100Hz，充放电时间是毫秒数量级。为获得更小的脉动系数，所需的电容量高达数十万μF，因此普通低频铝电解电容器的目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。而开关电源中... 2023-06-13 电子元器件滤波电容选用四端电容文章基础课电子技术基础
数码管的分类 数码管按段数分为七段数码管和八段数码管，八段数码管比七段数码管多一个发光二极管单元（多一个小数点显示）；按能显示多少个“8”可分为1位、2位、4位等等数码管；按发光二极管单元连接方式分为共阳极数码管和共阴极数码管。共阳数码管是指将所有发光二极管的阳极接到... 2023-06-13 电子元器件数码管分类共阳数码管共阴数码管文章基础课电子技术基础
数码管的驱动方式 数码管要正常显示，就要用驱动电路来驱动数码管的各个段码，从而显示出我们要的数字，因此根据数码管的驱动方式的不同，可以分为静态式和动态式两类。① 静态显示驱动：静态驱动也称直流驱动。静态驱动是指每个数码管的每一个段码都由一个单片机的I/O端口进行驱动，或者使用如BCD码... 2023-06-13 电子元器件数码管静态显示驱动动态显示驱动文章基础课电子技术基础
