MOSFET在开关电源中常见的失效原因及解决办法 1、雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2、SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3、体二极管... 2023-06-13 MOSFET开关电源失效原因解决办法文章课设毕设电源类
MOSFET击穿的2种原因及对策分析 本文中提出了针对于MOSFET击穿的两种常见成因，并且对此进行了问题分析及提出解决方案。这里我们把MOSFET的击穿成因分为两种：一个是MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/... 2023-06-13 MOSFET击穿原因对策分析文章基础课电子技术基础
小编支招：面临MOSFET选择该何去何从？ 在推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。后来IGBT面市，仍是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT就不一定了。MOSFET作为多数载流子器件已是高频应用的最佳选择。相比IGBT，MOSFET还具有高抗雪... 2023-06-13 面临MOSFET选择文章基础课电子技术基础
详解开关电源电磁兼容 电磁兼容学是一门综合性学科，它涉及的理论包括数学、电磁场理论、天线与电波传播、电路理论、信号分析、通讯理论、材料科学、生物医学等。进行开关电源的电磁兼容性设计时，首先进行一个系统设计，明确以下几点：1. 明确系统要满足的电磁兼容标准；2. 确定系统内的关键电路部分，包... 2023-06-13 IGBTMOSFETEMI文章课设毕设电源类
在ON状态下 Mosfet与三极管有何不同之处？ Mosfet是一种在模拟电路和数字电路中都应用的非常广泛的一种场效晶体管。三极管也成为双极型晶体管，他能够控制电流的的流动，将较小的信号放大成为幅值较高的电信号。Mosfet和三极管都有ON状态，那么在处于ON状态时，这两者有什么区别呢？Mosfet和三极管，在ON状态时，mosfet通常用Rd... 2023-06-13 MOSFET三极管ON状态文章基础课模拟电路
MOSFET场效应晶体管的设计注意事项 一、功率场效应晶体管对栅极驱动电路的要求主要有：1、触发脉冲须具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭。2、开通时，以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电荷提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度。3、为了使功率MOSFET可靠触发导通，栅极驱动电压应高于器件... 2023-06-13 MOSFET场效应管过电压保护功率文章基础课模拟电路
电容使用的一些经验及误区 一些经验：在电路中不能确定线路的极性时，建议使用无极电解电容。通过电解电容的纹波电流不能超过其充许范围。如超过了规定值，需选用耐大纹波电流的电容。电容的工作电压不能超过其额定电压。在进行电容的焊接的时候，电烙铁应与电容的塑料外壳保持一定的距离，以防止过热造成塑... 2023-06-13 ESR电容并联MOSFET文章基础课模拟电路
DC/DC转换器的高密度印刷电路板布局 —— 第1部分 高密度直流/直流（DC/DC）转换器印刷电路板（PCB）布局最引人瞩目的范例涉及功率级组件的放置和布线。精心的布局可同时提高开关性能、降低组件温度并减少电磁干扰（EMI）信号。请细看图1中的功率级布局和原理图。图1：四开关降压-升压型转换器功率级布局和原理图在笔者看来，这些都是设... 2023-06-13 DCDC功率级布局EMIMOSFET文章硬件设计PCB设计
DC/DC转换器的高密度印刷电路板（PCB）布局,第2部分 在电路板上具有战略意义的位置灵活部署转换器的能力也很重要 —— 以大电流负载点（POL）模块为例，处于邻近负载的最佳位置可降低导通压降并改善负载瞬态性能。请细看图1中外形微缩的降压型转换器的功率级布局。作为一个嵌入式POL模块实施方案，它采用了一个全陶瓷电... 2023-06-13 PCBDCDCMOSFET损耗文章硬件设计PCB设计
小信号MOSFET及其应用 N沟道MOSFET概述N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当VGS>VGS(th)， 在D和S之间加正电压，就会产生漏极电流ID，ID将随VGS的增加而增大。用MOSFET作为开关应用时，可以用图... 2023-06-13 MOSFET沟道文章基础课电路分析
功率MOSFET基础知识 什么是功率MOSFET？我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向；我们不能对其编程以通过或屏蔽一个信号。对于诸如“流控制”或可编程开关之类的应用，我们需要一种三端器件和双极... 2023-06-13 MOSFET基础知识功率文章基础课其他
选择正确的MOSFET：工程师所需要知道的 MOSFET的选择MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总... 2023-06-13 MOSFET额定电流开关性能文章基础课其他
场效应管（MOSFET）检测方法与经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相... 2023-06-13 功率器件MOSFETIGBT场效应管文章基础课模拟电路
场效应管（MOSFET）检测方法及经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值... 2023-06-13 场效应管MOSFET检测方法文章基础课模拟电路
MOSFET和三极管ON状态有什么区别 MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来... 2023-06-13 MOSFET三极管ON状态文章基础课模拟电路
深入浅出常用元器件系列——MOSFET MOSFET，中文名金属-氧化层-半导体-场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照导电载流子极性不同，可分为N沟道型与P沟道型的MOSFET;根据导电沟道形... 2023-06-13 常用元器件MOSFET晶体管文章基础课电子技术基础
被忽略的细节：理解MOSFET额定电压BVDSS 数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为IDSS。数据表中标称BVDSS电压是在栅极和源极S短路、25℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩... 2023-06-13 MOSFET额定电压BVDSS模拟电路文章基础课
电源模块性能的PCB布局优化 在规划电源布局时，首先要考虑的是两个开关电流环路的物理环路区域。虽然在电源模块中这些环路区域基本看不见，但是了解这两个环路各自的电流路径仍很重要，因为它们会延至模块以外。在图1所示的环路1中，电流自导通的输入旁路电容器(Cin1)，在高端MOSFET的持续导通时间内经该MOSF... 2023-06-13 电源模块PCB布局MOSFET文章硬件设计PCB设计
功率器件心得——功率MOSFET心得 功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力要强。功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，... 2023-06-13 功率放大电路MOSFET低导通阻抗场效应管文章基础课电子技术基础
【功率器件心得分享】功率器件在Boost电路中的应用 风能、太阳能等新能源均需经过电力电子变换才能接入电网，随着新能源发电量的逐年攀升，市场对电力电子变换器的要求朝着大功率、高频率、低损耗的方向快步前进。作为传统电力电子变换的开关器件，Si IGBT已难以满足需求，而新型半导体器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍认为是... 2023-06-13 SiCMOSFETBoost变换电路驱动电源连续工作状态损耗文章基础课电子技术基础
【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件 1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起... 2023-06-13 GaN功率管SiC功放器件SiCMOSFET文章基础课电子技术基础
如何调整PCB布局以降低MOSFET辐射 在某些情况下，比如输入电压瞬变或短路，MOSFET所承受的高di/dt和dv/dt可能会导致开关特性异常或器件损坏。图1显示的是关断瞬态期间PFC电路中超级结MOSFET的振荡波形。器件和电路板中的寄生元件毫无疑问是引起不必要振荡和噪声的主要原因。在这种情况下，增大栅极电阻能够抑制... 2023-06-13 PCB布局超级结MOSFET辐射文章硬件设计PCB设计
增强型和耗尽型场效应晶体管 总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。这两种类型的FET各有其特点和用途。一般，增强型FET在高速、低功耗电路中很... 2023-06-13 场效应晶体管增强型耗尽型MOSFETJFET文章基础课电子技术基础
MOSFET结构及其工作原理详解 1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide... 2023-06-13 MOSFET工作原理场效应管文章基础课模拟电路
关于MOSFET驱动电阻的选择 L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。VL+VRg+VCgs=12V计算式这是个3阶系统，当其极点为... 2023-06-13 MOSFET驱动电阻文章基础课模拟电路
